Central Semiconductor
DIODE ZENER 200V 500MW DO35A (1N5281B TR)
Part Number: 1N5281B TR
Documents / Media: datasheets 1N5281B TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Last Time Buy
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 200V
- Допуск: ±5%
- Мощность: 500mW
- Impedance (Max) (Zzt): 2.5 kOhms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 100nA @ 152V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.2V @ 200mA
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: DO-204AH, DO-35, Axial
- Исполнение корпуса: DO-35A
Цена по запросу